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CESC2025 | Inspirar o poder da criação de núcleos e ser pioneiro na localização de SiC! A CCS estará presente na conferência
A 3ª Conferência Internacional de Armazenamento de Energia CESC2025 realizar-se-á de 20 a 22 de março de 2025 na China·Nanjing. O local da conferência terá armazenamento de energia e indústrias relacionadas
2025 | 02 | 18
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A 3ª Conferência Internacional sobre Armazenamento de Energia CESC2025 realizar-se-á de 20 a 22 de março de 2025 em Nanjing, na China.

Haverá muitas novas tecnologias e produtos trazidos por empresas líderes nas indústrias de armazenamento de energia e afins, envolvendo tecnologias de armazenamento de energia, equipamento e materiais de armazenamento de energia, centrais eléctricas e infra-estruturas de armazenamento de energia, sistemas de gestão de armazenamento de energia e equipamento auxiliar, tecnologias de segurança e redes inteligentes, tecnologias de energia de hidrogénio e células de combustível, etc.

Conforme confirmado pelo comité organizador da conferência, a CLP Power South Group Limited (a seguir designada por “CLP Power South”) estará presente na conferência e na exposição. O número do seu stand é 4B06-1, por favor, preste atenção a ele.wps_doc_0.png

 

Perfil da empresa

Com dispositivos e microssistemas de estado sólido, ecrãs e detectores optoelectrónicos como principal atividade, o CLP Power South Group está empenhado em apoiar a construção do sistema nacional de controlo independente e de capacidade de garantia independente de dispositivos semicondutores, concentrando-se na construção de sectores industriais fundamentais, como a eletrónica de radiofrequência, a eletrónica de potência, os ecrãs e detectores optoelectrónicos. Enquanto laboratório nacional de dispositivos semicondutores de banda larga e tecnologia de integração, laboratório nacional de dispositivos e circuitos de micro-ondas de estado sólido, centro nacional de inovação de tecnologia de semicondutores de terceira geração (Nanjing), centro nacional de investigação de tecnologia de engenharia de ecrãs planos e outras plataformas nacionais, a empresa estabeleceu uma cadeia industrial completa que abrange materiais semicondutores de primeira, segunda e terceira geração, conceção de circuitos, fabrico de pastilhas, embalagem e ensaio, e goza de boa reputação nos domínios dos circuitos integrados de radiofrequência e componentes de micro-ondas, materiais de ondas de superfície acústicas e dispositivos de deteção. Possui capacidades tecnológicas fundamentais independentes nos domínios dos circuitos integrados de radiofrequência e componentes de micro-ondas, materiais e filtros de ondas acústicas de superfície, dispositivos e módulos electrónicos de potência, microdisplays OLED à base de silício e dispositivos Micro-LED, caixas de encapsulamento e placas de máscara, etc.

Aderindo ao conceito de desenvolvimento sinérgico da cadeia industrial e enfrentando as áreas centrais da economia nacional, a GNSS aproveita as oportunidades de desenvolvimento das indústrias emergentes, como as comunicações móveis 5G, a Internet das Coisas, os novos veículos de energia, a produção de energia eólica, as pilhas de carregamento e a RA/RV, etc., e formou as seguintes tecnologias-chave: dispositivos RF GaN/GaAs para estações de base 5G, filtros acústicos de ondas de superfície para terminais inteligentes, dispositivos SiC e módulos de potência para novos veículos de energia e dispositivos OLED à base de silício para microexibidores. Formámos produtos principais, como dispositivos RF GaN/GaAs para estações de base 5G, dispositivos SiC e módulos de potência para veículos de energia nova e dispositivos OLED à base de silício para microdisplays, etc. Construímos um esquema industrial e de investigação com um parque e três localizações no Delta do Rio Yangtze e estabelecemo-nos como um grupo IDM de semicondutores líder a nível nacional e mundial no domínio da informação eletrónica.

Exposições

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Bolachas de SiC

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A GSC é a primeira empresa a dedicar-se à I&D e à produção de dispositivos electrónicos de potência SiC na China. No domínio dos semicondutores de potência de terceira geração representados pelo SiC, empreendeu mais de 80 projectos nacionais, tais como o National Science and Technology Major Project, “863”, “973”, National Key R&D Programme, etc. Solicitou mais de 200 patentes de invenção, das quais 10 são PCT e 67 foram concedidas. PCT 10, 67 foram autorizadas.

Em 2018, concluímos a primeira linha de processo de produção em massa de SiC de 6 polegadas na China, com uma capacidade planeada de 100.000 wafers/ano. As séries de produtos dividem-se em díodos Schottky SiC com tensão de 650V-6500V e corrente de 1A-100A; dispositivos MOSFET SiC com tensão de 650V-6500V e corrente de 10A-150A; módulos de potência SiC com tensão de 650V-6500V e corrente de 10A-800A em várias topologias de embalagem, e o desempenho e a fiabilidade dos produtos satisfazem vários requisitos de aplicação. O desempenho e a fiabilidade dos nossos produtos satisfazem os requisitos de várias aplicações e têm sido amplamente utilizados em veículos de energia nova e equipamento de carregamento, transporte ferroviário, produção de energia nova, transmissão da rede eléctrica, equipamento eletrónico doméstico e outros domínios.




2

Dispositivos discretos SiC

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No domínio da eletrónica de potência SiC de semicondutores de terceira geração, a GNSS centra-se na procura de aplicações para automóveis de energia nova, com base em materiais epitaxiais SiC independentes, domina a tecnologia-chave dos dispositivos e módulos de chips electrónicos de potência SiC para veículos de energia nova, e estabelece a capacidade de produção e fornecimento de lotes, uma série de produtos com caraterísticas de alta frequência, alta potência, baixas perdas, resistência a altas temperaturas, etc., que assegurou a procura de 4 milhões de veículos de energia nova, e apoia fortemente a segurança da cadeia de abastecimento da indústria eletrónica automóvel. segurança da cadeia de abastecimento da cadeia da indústria eletrónica automóvel.




3

 Módulo de potência SiC

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Desta vez, o CIGI-Southern estará presente na 3ª Conferência Internacional de Armazenamento de Energia CESC2025, lançando uma série de dispositivos de chip SiC totalmente localizados e módulos de energia, e esperamos a sua presença e orientação!




Para mais informações, visite o sítio Web oficial da conferência ou siga as notícias oficiais da CCS.

Sítio oficial da CESC2025: cescexpo.cn

Sítio oficial da CCS: 55.cetc.com.cn

 

Última atualização: March 23, 2025
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